參數(shù)資料
型號(hào): IRFL110
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d 0.54ohm,身份證\u003d 1.5A的)
文件頁數(shù): 3/8頁
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代理商: IRFL110
IRFL110
www.irf.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A)
IRFL4105 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A)
IRFL4310 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
IRFL9014 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A)
IRFL9110 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFL110PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL110TR 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL110TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL210 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL210PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube