型號: | IRFL110 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.5A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d 0.54ohm,身份證\u003d 1.5A的) |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大小: | 244K |
代理商: | IRFL110 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFL214 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A) |
IRFL4105 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A) |
IRFL4310 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A) |
IRFL9014 | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A) |
IRFL9110 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFL110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL110TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL110TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFL210PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |