參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP15N60L
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 171K
代理商： IRFP15N60L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
TOP
BOTTOM
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
5.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
TOP
BOTTOM
4
6
8
10
12
14
16
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 50V
20μs PULSE WIDTH
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
RD
ID = 15A
VGS = 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP31N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)
IRFR3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFRU3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR3708PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFU3708PBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
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參數(shù)描述
IRFP15N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 15 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP17N50L 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP17N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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