參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP15N60L
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
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代理商： IRFP15N60L
www.irf.com
5
Fig 9.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
≤ 1
≤ 0.1 %
Fig 11a.
Switching Time Test Circuit
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 11b.
Switching Time Waveforms
1
10
100
1000
10000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP31N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A)
IRFR3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFRU3707PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR3708PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFU3708PBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP15N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 15 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP17N50L 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP17N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP17N50LS 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
IRFP21N60L 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 21 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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