參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR3710Z
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
中文描述： 專(zhuān)門(mén)為汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，這HEXFET功率MOSFET的采用最新的處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的性佝僂病
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
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代理商： IRFR3710Z
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
50
60
70
80
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VG
VDS= 80V
VDS= 50V
VDS= 20V
ID= 33A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
IRFU3710Z Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
IRFR3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.1 to 5.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRFU3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.2 to 5.5; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
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