參數(shù)資料
型號： IRFR3710Z
廠商： International Rectifier
英文描述： Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
中文描述： 專門為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，這HEXFET功率MOSFET的采用最新的處理技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的性佝僂病
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 214K
代理商： IRFR3710Z
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
RD
ID = 56A
VGS = 10V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.576 0.000540
0.249 0.001424
0.224 0.007998
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
10
20
30
40
50
60
ID
Limited By Package
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PDF描述
IRFU3710Z Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi
IRFR3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3711PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.1 to 5.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRFU3711ZPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.2 to 5.5; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
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參數(shù)描述
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