參數(shù)資料
型號: IRFU3709PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 173K
代理商: IRFU3709PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
30A
V
= 6V
DS
V
= 15V
DS
V
= 24V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 °
= 25 °
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3711 RES 475-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFR3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A)
IRFR3711TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFR3711TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFR3711TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
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參數(shù)描述
IRFU3709Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3709Z-701P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 86A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3709ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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IRFU3709ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET