參數(shù)資料
型號： IRFU3709PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： IRFU3709PBF
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 30A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 30A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.82
48
46
48
52
1.3
–––
72
69
72
78
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
382
30
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
90
360
Min. Typ. Max. Units
53
–––
–––
27
–––
6.7
–––
9.7
–––
22
–––
11
–––
171
–––
21
–––
9.2
–––
2672 –––
–––
1064 –––
–––
109
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 30A
–––
41 I
D
= 15A
–––
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 15V
I
D
= 30A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 16V
= 1.0MHz
pF
–––
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
6.9
7.9
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
10.5
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3711 RES 475-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFR3711 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A)
IRFR3711TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFR3711TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
IRFR3711TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-252AA
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參數(shù)描述
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IRFU3709Z-701P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 86A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3709ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3709ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3709ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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