參數(shù)資料
型號： IRFU9120
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應管)
中文描述： 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： IRFU9120
4-88
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT IRFU9120 2 1 3 REV 9/16/94
CA 12 8 618.9e-12
CB 15 14 633.9e-12
CIN 6 8 441.1e-12
DBODY 5 7 DBDMOD
DBREAK 7 11 DBKMOD
DPLCAP 10 6 DPLCAPMOD
EBREAK 5 11 17 18 -127.38
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 5 10 8 6 1
EVTO 20 6 8 18 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 2.609e-9
LSOURCE 3 7 2.609e-9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M=0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M=0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDSMOD 245.6e-3
RGATE 9 20 2.69
RIN 6 8 1e9
RSCL1 5 51 RSCLMOD 1e-6
RSCL2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 123.96e-3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 -0.77
ESCL 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)*1e6/13.2,6))}
.MODEL DBDMOD D (IS=5.1e-14 RS=9.4e-2 TRS1=-2.2e-3 TRS2=-5.2e-6 CJO=6.43e-10 TT=9.7e-8)
.MODEL DBKMOD D (RS=1.45 TRS1=3.84e-4 TRS2=-9.83e-6)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO=235e-12 IS=1e-30 N=10)
.MODEL MOSMOD PMOS (VTO=-3.49 KP=1.58 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1=1.01e-3 TC2=1.05e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1=6.23e-3 TC2=1.23e-5)
.MODEL RSCLMOD RES (TC1=2.05e-3 TC2=-0.35e-5)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1=-3.46e-3 TC2=3.33e-7)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=6.3 VOFF=4.3)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=4.3 VOFF=6.3)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=1.0 VOFF=-4.0)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4.0 VOFF=1.0)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global Tem-
perature Options
; written by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
MOS1
10
DPLCAP
RDRAIN
DBREAK
LDRAIN
DRAIN
LSOURCE
DBODY
RSOURCE
EBREAK
MOS2
RIN
CIN
VTO
ESG
CA
EVTO
+
RGATE
GATE
LGATE
5
2
11
21
8
6
16
20
9
1
18
8
6
8
17
18
+
-
-
+
-
+
-
3
SOURCE
RBREAK
RVTO
VBAT
+
-
19
I
T
EDS
EGS
S1A
S2A
S2B
S1B
CB
18
17
7
12
15
14
13
13
8
14
13
5
8
+
-
+
-
5
51
RSCL2
RSCL1
ESCL
6
8
IRFR9120, IRFU9120
相關PDF資料
PDF描述
IRFR9120 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(5.6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應管)
IRL80 GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter
IRL80A GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter
IRL81 GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
IRL81A GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU9120_R4941 功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9120N 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU9120NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU9120NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -100V -6.5A 480mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9120PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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