參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU9120N
廠商： International Rectifier
英文描述： P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P通道直鉛HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/10頁
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代理商： IRFU9120N
IRFR/U9120N
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
-
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
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IRFU9210PBF M16C; M16C/60 Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 128K; RAM: 10K; ROM Type: Mask ROM; CPU: M16C/60 core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 41.7 (@24MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 24MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -20 to 85, -40 to 85; Package Code: PLQP0100KB-A (100P6Q-A)
IRFR9210 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
IRFU9210 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
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