參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU9120N
廠商： International Rectifier
英文描述： P Channel Straight Lead HEXFET Power MOSFET(P溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P通道直鉛HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： IRFU9120N
IRFR/U9120N
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
DD
+V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
-
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
-1.7A
-2.5A
-3.9A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9210PBF M16C; M16C/60 Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 128K; RAM: 10K; ROM Type: Mask ROM; CPU: M16C/60 core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 41.7 (@24MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 24MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -20 to 85, -40 to 85; Package Code: PRQP0100JB-A (100P6S-A)
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IRFR9210 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
IRFU9210 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
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參數(shù)描述
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