參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC30KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.21V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 16A條）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： IRG4PC30KD
Parameter
Max.
600
31
17
120
120
± 20
10
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
E
C
G
n-channel
TO-247AC
Features
Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-247AC package
Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available
IGBT's optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBT's
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
1.59V
@V
GE
= 15V, I
C
= 17A
1229//00
Parameter
Typ.
–––
0.24
–––
6 (0.21)
Max.
1.2
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°
C/W
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC40FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC30KD-206 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30KDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PC30KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30S 功能描述:IGBT STD 600V 34A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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