參數(shù)資料
型號: IRG4PC30KD
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復二極管(VCES和\u003d 600V電壓的Vce(on)典型.\u003d 2.21V,@和VGE \u003d 15V的,集成電路\u003d 16A條)
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代理商: IRG4PC30KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
A
I = 8.5A
I = 17A
I = 34A
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SIN GLE P ULSE
(TH ER MA L R ES P ONS E)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + TC
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (
°
C)
V = 15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC40FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
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參數(shù)描述
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IRG4PC30KDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
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