參數(shù)資料
型號： IRG4PC30KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.21V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 16A條）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： IRG4PC30KD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150
°
C
J
T = 25
°
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
A
1
10
100
1000
5
6
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7
8
9
10
11
12
13
C
I
T = 25
°
C
T = 150
°
C
J
A
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
D uty cycle: 50%
T = 125
°
C
T = 90
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 24W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
相關PDF資料
PDF描述
IRG4PC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC40FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC30KD-206 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS
IRG4PC30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30KDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
IRG4PC30KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC30S 功能描述:IGBT STD 600V 34A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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