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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGB4060DPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 301K |
| 代理商： | IRGB4060DPBF |
IRGB4060DPbF
10
www.irf.com
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
09/06
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
TO-220AB packages are not recommended for Surface Mount Application.
!"##
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
LOT CODE
ASSEMBLY
YEAR 0 = 2000
WEEK 19
LINE C
DATE CODE
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 2000
EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010
Note: "P" in assembly line position
indicates "Lead - Free"
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGBC20F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC20M-S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC20M | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC30K | Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 4V; Case Size: 6.3x6 mm; Packaging: Tape & Reel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB4064DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB4065PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-220 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220 |
| IRGB4086PBF | 功能描述:IGBT 晶體管 300V Plasma Display Panel IGBT Swtch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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