參數(shù)資料
型號： IRGB4060DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRGB4060DPBF
IRGB4060DPbF
6
www.irf.com
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V; T
J
= 175°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 8A; T
J
= 175°C
Fig. 24
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 8A, L=600μH
Fig. 23
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 22
- Typ. V
GE
vs Short Circuit Time
V
CC
=400V, T
C
=25°C
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 175°C
C
0
500
1000
diF /dt (A/μs)
0
5
10
15
20
25
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
QR
10
22
47
100
16A
8.0A
4.0A
0
5
10
15
20
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
8
10
12
14
16
18
VGE (V)
10
20
30
40
50
60
70
80
4
6
8
10
12
14
16
18
T
0
5
10
15
20
IF (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
E
10
22
47
100
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
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PDF描述
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
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