參數(shù)資料
型號： IRGPH50M
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 23A條）
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代理商： IRGPH50M
C-474
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Case Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
IRGPH50M
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120
140 160
C
V
I = 46A
I = 23A
I = 12A
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
D M
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
DM
thJC
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGPH50S Aluminum Electrolytic Radial Leaded Low Leakage Current Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 4x7 mm; Packaging: Bulk
IRGPH50 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
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參數(shù)描述
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IRGPH50S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)
IRGPH60UD2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGPS4067DPbF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 1.6V 120A Solar UPS Welding RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS40B120U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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