參數(shù)資料
型號： IRGPH50M
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 23A條）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 255K
代理商： IRGPH50M
C-475
IRGPH50M
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C es
C oes
C es
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
0
4
8
12
16
20
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
G
V
V = 400V
I = 23A
4.8
5.0
5.2
5.4
5.6
5.8
6.0
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance (
)
A
V = 960V
V = 15V
T = 25°C
I = 23A
1
10
100
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
R = 5
V = 15V
V = 960V
I = 46A
I = 23A
I = 11A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGPH50S Aluminum Electrolytic Radial Leaded Low Leakage Current Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 4x7 mm; Packaging: Bulk
IRGPH50 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRGPH50MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
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參數(shù)描述
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IRGPS4067DPbF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 1.6V 120A Solar UPS Welding RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS40B120U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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