參數(shù)資料
型號： IRGR3B60KD2
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： IRGR3B60KD2
IRGR3B60KD2
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
10
20
30
40
50
60
Pt
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.01
0.1
1
10
100
IC
100 μs
10ms
DC
1ms
10 μs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
2
4
6
8
10
IC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRGR3B60KD2TRRP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGR4045DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 IR IGBT 600V 6A, COPAK-DPAK RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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