參數(shù)資料
型號(hào): IRGR3B60KD2
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù): 7/13頁
文件大?。?/td> 257K
代理商: IRGR3B60KD2
IRGR3B60KD2
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 3.0A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
F
= 3.0A; T
J
= 150°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IF (A)
1
2
3
4
5
6
IR
RG =
100
RG = 200
RG = 330
RG = 470
0
100
200
300
400
500
RG (
)
0
1
2
3
4
5
6
IR
50
100
150
200
250
300
diF /dt (A/μs)
0
1
2
3
4
5
6
IR
0
50
100
150
200
250
300
350
diF /dt (A/μs)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
QR
100
200
470
330
3.0A
6.0A
1.5A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGS14C40L Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管)
IRGB14C40L IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
IRGSL14C40L Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管)
IRH7054 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管)
IRH8054 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGR3B60KD2PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Non Punch Thru Short Cir Ratd IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGR3B60KD2TRLP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGR3B60KD2TRP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGR3B60KD2TRRP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGR4045DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 IR IGBT 600V 6A, COPAK-DPAK RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube