參數(shù)資料
型號(hào)： IRGR3B60KD2
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 257K
代理商： IRGR3B60KD2
IRGR3B60KD2
www.irf.com
9
Fig 25.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Fig 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
2.301
0.000156
4.212
0.001440
2.278
0.028166
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.990
0.000087
1.412
0.000426
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
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PDF描述
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IRGR3B60KD2TRRP 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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