參數(shù)資料
型號(hào)： IRLML5103
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： IRLML5103
IRLML5103
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-30
–––
––– -0.029 –––
–––
–––
–––
–––
-1.0
–––
0.44
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.4
–––
0.52
–––
1.1
–––
10
–––
8.2
–––
23
–––
16
–––
75
–––
37
–––
18
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -0.60A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -0.30A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -0.30A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -0.60A
V
DS
= -24V
V
GS
= -10V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= -15V
I
D
= -0.60A
R
G
= 6.2
R
D
= 25
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
0.60
1.0
–––
–––
-1.0
-25
-100
100
5.1
0.78
1.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
nC
pF
μA
nA
ns
I
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -0.60A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -0.60A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
26
20
-1.2
39
30
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
S
D
G
–––
–––
-0.54
–––
–––
-4.8
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
-0.60A, di/dt
≤
110A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
5sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRLML6401PBF HEXFET Power MOSFET
IRLMS6802PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLML5103GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLML5103PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -30V -0.61A MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -0.61A, MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:P CH MOSFET, -30V, 610mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-610mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes
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