參數(shù)資料
型號(hào)： IRLML5103
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 107K
代理商： IRLML5103
IRLML5103
Tape & Reel Information
SOT-23
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.05 ( .080 )
1.95 ( .077 )
TR
FEE D DIRECTION
4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )
1.6 ( .062 )
1.5 ( .060 )
1.85 ( .072 )
1.65 ( .065 )
3.55 ( .139 )
3.45 ( .136 )
1.1 ( .043 )
0.9 ( .036 )
4.1 ( .161 )
3.9 ( .154 )
0.35 ( .013 )
0.25 ( .010 )
8.3 ( .326 )
7.9 ( .312 )
1.32 ( .051 )
1.12 ( .045 )
9.90 ( .390 )
8.40 ( .331 )
178.00
( 7.008 )
M AX .
NO TE S:
1. CONTROLLING DIME NSION : M ILLIM E TE R.
2. OUTLINE CONFORM S TO EIA-481 & EIA-541.
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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PDF描述
IRLML5203PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLML5203 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLML6302PBF HEXFET Power MOSFET
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IRLMS6802PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLML5103GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRLML5103GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLML5103PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -30V -0.61A MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -30V, -0.61A, MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:P CH MOSFET, -30V, 610mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-610mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes
IRLML5103PBF_11 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Lead-Free, Fast Switching, Available in Tape and Reel
IRLML5103TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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