參數(shù)資料
型號(hào)： IRLML5203
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： IRLML5203
IRLML5203
2
www.irf.com
PROVISIONAL
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.3A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.3A
di/dt = -100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
17
12
-1.2
26
18
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
-24
–––
–––
–––
-1.3
–––
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
5sec.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-30
–––
––– 0.019 –––
–––
–––
–––
–––
-1.0
–––
3.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.5
–––
2.3
–––
1.6
–––
12
–––
18
–––
88
–––
52
–––
510
–––
71
–––
43
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -3.0A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -2.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -3.0A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -3.0A
V
DS
= -24V
V
GS
= -10V
V
DD
= -15V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= -10V
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz
V/°C
98
165
-2.5
–––
-1.0
-5.0
-100
100
14
3.5
2.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLML6302PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML6401PBF HEXFET Power MOSFET
IRLMS6802PBF HEXFET Power MOSFET
IRLP3803 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLML5203GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLML5203GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRLML5203TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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