參數(shù)資料
型號： IRLML5203
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/9頁
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代理商： IRLML5203
IRLML5203
6
www.irf.com
PROVISIONAL
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 11.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
RD
)
ID = -3.0A
0
4
8
12
16
-ID , Drain Current (A)
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
RD
)
VGS = -10V
VGS = -4.5V
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PDF描述
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