參數(shù)資料
型號： IRLML5203
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 137K
代理商： IRLML5203
IRLML5203
8
www.irf.com
PROVISIONAL
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Micro3
TM
Part Marking Information
Micro3
TM
Package Outline
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - SOURCE
3 - DRAIN
H
0.20 ( .008 ) M A M
L
3X
3X
C
θ
A1
- C -
B 3X
A
e
e1
0.008 (.003)
3
1
2
E
- A -
- B -
D
DIM
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A .032 .044 0.82 1.11
A1 .001 .004 0.02 0.10
B .015 .021 0.38 0.54
C .004 .006 0.10 0.15
D .105 .120 2.67 3.05
e .0750 BASIC 1.90 BASIC
e1 .0375 BASIC 0.95 BASIC
E .047 .055 1.20 1.40
H .083 .098 2.10 2.50
L .005 .010 0.13 0.25
θ
0° 8° 0° 8°
0.10 (.004) M C A S B S
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
0.80 ( .031 )
3X
2.00
( .079 )
0.95 ( .037 )
2X
0.90
( .035 )
3X
3
3
3
DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
WW = (1-26) IF PRECEDED BY LAST DIGIT OF CALENDAR YEAR
01
02
03
04
24
25
26
W
YEAR
Y
A
B
C
D
2001
2002
2003
1994
1995
1996
1997
1998
1
2
3
4
5
X
Y
Z
1999
2000
0
WW = (27-52) IF PRECEDED BY A LETTER
27
28
29
30
50
51
52
W
YEAR
A
B
C
D
2001
2002
2003
1994
1995
1996
1997
1998
1999
2000
A
B
C
D
E
F
G
H
X
Y
Z
J
K
YWW = 9532 = EF
YWW = 9503 = 5C
DATE CODE EXAMPLES:
Y
9
8
7
6
PART NUMBER
EXAMPLE: THIS IS AN IRLML6302
1C YW
DATE
CODE
WEEK
WEEK
1A = IRLML2402
1B = IRLML2803
1C = IRLML6302
1D = IRLML5103
1E = IRLML6402
PART NUMBER CODE REFERENCE:
1G = IRLML2502
1H = IRLML5203
1F = IRLML6401
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLML6302PBF HEXFET Power MOSFET
IRLML6401PBF HEXFET Power MOSFET
IRLMS6802PBF HEXFET Power MOSFET
IRLP3803 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRLR014NPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14ヘ , ID = 10A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLML5203GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLML5203GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLML5203PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFETP CH30V3ASOT23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET,P CH,30V,3A,SOT23 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 3A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):98mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-2.5V ;RoHS Compliant: Yes
IRLML5203TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:3 A, 30 V, 0.098 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRLML5203TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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