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參數(shù)資料
| 型號： | IS41LV16100A-60TLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-50/44 |
| 文件頁數(shù)： | 11/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | IS41LV16100A-60TLI |
IS41LV16100A
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
03/02/05
11
ISSI
EARLY WRITE CYCLE
(
OE
= DON'T CARE)
t
RAS
t
RC
t
RP
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AR
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ASC
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WCS
t
WCH
t
WP
t
DH
t
DS
t
DHR
Valid Data
Don’t Care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41LV16100A | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16100 | 1M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,1Mx16帶擴展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM) |
| IS41LV16105 | 1M x 16 DRAM With Fast Page Mode(3.3V,1Mx16帶快速頁模式動態(tài)RAM) |
| IS41LV16256-35K | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16256-35T | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS41LV16100B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41LV16100B-50K | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS41LV16100B-50KI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS41LV16100B-50KI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS41LV16100B-50KL | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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