參數(shù)資料
型號： IS41LV16100A-60TLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述： 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-50/44
文件頁數(shù)： 20/22頁
文件大?。?/td> 144K
代理商： IS41LV16100A-60TLI
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. F
10/29/03
Copyright 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.
400-mil Plastic SOJ
Package Code: K
Notes:
1. Controlling dimension:
millimeters.
2. BSC = Basic lead spacing
between centers.
3. Dimensions D and E1 do not
include mold flash protrusions
and should be measured from
the bottom of the package.
4. Reference document: JEDEC
MS-027.
SEATING PLANE
1
N
E1
D
E2
E
B
e
A1
A
C
A2
b
N/2+1
N/2
Millimeters
Min
Inches
Min
Millimeters
Min
Inches
Min
Millimeters
Min
Inches
Min
Symbol
No. Leads (N)
A
A1
A2
B
b
C
D
E
E1
E2 9.40 BSC 0.370 BSC 9.40 BSC 0.370 BSC 9.40 BSC 0.370 BSC
e 1.27 BSC 0.050 BSC
1.27 BSC 0.050 BSC
Max
Max
Max
Max
Max
Max
28
32
36
3.25
0.64 —
2.08 —
0.38
0.66
0.18
18.29 18.54
11.05 11.30
10.03 10.29
3.75
0.128
0.025 —
0.082 —
0.015
0.026
0.007
0.720
0.435
0.395
0.148
3.25
0.64 —
2.08 —
0.38
0.66
0.18
20.82
11.05
10.03
3.75
0.128 0.148
0.025 —
0.082 —
0.015 0.020
0.026 0.032
0.007 0.013
0.820 0.830
0.435 0.445
0.395 0.405
3.25
0.64 —
2.08 —
0.38
0.66
0.18
23.37 23.62
11.05 11.30
10.03 10.29
3.75
0.128 0.148
0.025 —
0.082 —
0.015 0.020
0.026 0.032
0.007 0.013
0.920 0.930
0.435 0.445
0.395 0.405
0.51
0.81
0.33
0.020
0.032
0.013
0.730
0.445
0.405
0.51
0.81
0.33
21.08
11.30
10.29
0.51
0.81
0.33
1.27 BSC 0.050 BSC
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PDF描述
IS41LV16100A 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100 1M x 16 DRAM With EDO Page Mode(3.3V,1Mx16帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出頁模式動態(tài)RAM)
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IS41LV16256-35K 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16256-35T 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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IS41LV16100B-50KI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41LV16100B-50KL 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M 1Mx16 50ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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