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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S32800B-7BLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 38/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42S32800B-7BLI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁當前第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁
38
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
ISSI
IS42S32800B
Figure 11.3.Random Row Read (Interleaving Banks)
(Burst Length=8,CAS#Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK3
Bx0
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Bx7
Ax0
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High
RAx
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RCD
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RP
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
Read
Command
Bank B
Read
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7T | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TL | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S32800B-7TLI | 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S83200A | 256 Mb Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S32800B-7BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7T | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S32800B-7TI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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