參數(shù)資料
型號: IS42S32800B-7BLI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝: 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90
文件頁數(shù): 52/62頁
文件大?。?/td> 939K
代理商: IS42S32800B-7BLI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
5
2
ISSI
IS42S32800B
Figure 18.3.Full Page Read Cycle (Burst Length=Full Page,CAS#Latency=3)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
Bx
Bx+1
RAx
RAx
Ax+1
Ax-2
Ax-1
CBx
RBx
CAx
RBy
RBy
Ax
t
CK3
t
RP
RBx
Ax+2
Ax
Ax+1
Bx+2 Bx+3 Bx+4 Bx+5
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
Hi-Z
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Activate
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
High
Burst Stop
Command
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Read
Command
Bank A
Read
Command
Bank B
Full Page burst operation does not
terminate when the burst length is
satisfied; the burst counter
increments and continues
bursting beginning with the
starting address.
相關PDF資料
PDF描述
IS42S32800B-7T 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TL 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S83200A 256 Mb Synchronous DRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S32800B-7BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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IS42S32800B-7TI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube