參數(shù)資料
型號： IS42S32800B-7BLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝： 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, BGA-90
文件頁數(shù)： 9/62頁
文件大?。?/td> 939K
代理商： IS42S32800B-7BLI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev.
B
0
5/24
/06
9
ISSI
IS42S32800B
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
CLK
COMMAND
CAS# latency=2
tCK2, DQs
CAS# latency=3
tCK3, DQs
READ A
READ B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B3
2
DOUT B
CLK
COMMAND
CAS# latency=2
tCK2, DQs
CAS# latency=3
tCK3, DQs
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst Read Operation(Burst Length =4,CAS#Latency =2,3)
The read data appears on the DQs subject to the values on the DQM inputs two clocks earlier (i.e.DQM latency is two clocks
for output buffers).
A read burst without the auto precharge function may be interrupted by a subsequent Read or Write
command to the same bank or the other active bank before the end of the burst length.It may be interrupted by a
BankPrecharge/PrechargeAll command to the same bank too.The interrupt coming from the Read command can occur on
any clock cycle following a previous Read command (refer to the following figure).
Read Interrupted by a Read (Burst Length =4,CAS#Latency =2,3)
The DQM inputs are used to avoid I/O contention on the DQ pins when the interrupt comes from a Write command.The
DQMs must be asserted (HIGH)at least two clocks prior to the Write command to suppress data-out on the DQ pins.To
guarantee the DQ pins against I/O contention,a single cycle with high-impedance on the DQ pins must occur between the
last read data and the Write command (refer to the following three figures).If the data output of the burst read occurs at the
second clock of the burst write,the DQMs must be asserted (HIGH)at least one clock prior to the Write command to avoid
internal bus contention.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S32800B-7T 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TL 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S32800B-7TLI 2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S83200A 256 Mb Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S32800B-7BLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-7BL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S32800B-7B-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 8Mx32 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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