參數(shù)資料
型號： IS42S83200A
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 256 Mb Synchronous DRAM
中文描述： 256 MB的同步DRAM
文件頁數(shù)： 20/49頁
文件大?。?/td> 603K
代理商： IS42S83200A
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
[Read Interrupted by Burst Terminate]
Similarly to the precharge, a burst terminate command
can interrupt the burst read operation and disable the
data output. The terminated bank remains active.
READ to TBST interval is minimum 1 CLK. A TBST
command to output disable latency is equivalent to
the /CAS Latency.
Read interrupted by Terminate (BL=4)
C
L=2
C
L=3
CLK
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
Command
DQ
TBST
READ
Q0
Q1
Q2
TBST
READ
Q0
Q1
TBST
READ
Q0
TBST
READ
Q0
Q1
Q2
TBST
READ
Q0
Q1
TBST
READ
Q0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S83200A-75T 256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200A-75TL 256 Mb Synchronous DRAM
IS42VS16100C1-10TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S83200A-75T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200A-75TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S83200B-6T 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S83200B-6TL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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