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參數(shù)資料
| 型號： | IS42S83200A |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 256 Mb Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256 MB的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 24/49頁 |
| 文件大小： | 603K |
| 代理商： | IS42S83200A |
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24
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
[Read with Auto-Precharge Interrupted by Read to another Bank]
Burst write with auto-precharge can be interrupted by write or read to another bank. Next ACT command
can be issued after (BL+tRP) from the READA. Auto-precharge interruption by a command to the same
bank is inhibited.
READA interrupted by READ to another bank (CL=2, BL=4)
CLK
Command
Read
Ya
1
00
Qa0
Qa1
Read
Yb
0
10
BL
tRP
ACT
Xa
Xa
00
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
auto-precharge interrupted
activate
[Full Page Burst]
Full page burst length is available for only the sequential burst type. Full page burst read or write is
repeated untill a Precharge or a Burst Terminate command is issued. In case of the full page burst, a read
or write with auto-precharge command is illegal.
[Single Write]
When single write mode is set, burst length for write is always one, independently of Burst Length defined
by (A2-0).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75T | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75TL | 256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42VS16100C1-10TLI | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16100C1-10T | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42S83200A-75T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200A-75TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S83200B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S83200B-6T | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42S83200B-6TL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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