參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S83200A
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 256 Mb Synchronous DRAM
中文描述： 256 MB的同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 29/49頁(yè)
文件大?。?/td> 603K
代理商： IS42S83200A
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. D
11/01/05
29
ISSI
IS42S83200A
(4-bank x 8,388,608 - word x 8-bit)
IS42S16160A
(4-bank x 4,194,304 - word x 16-bit)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Vdd
Parameter
Supply Voltage
Conditions
with respect to Vss
Ratings
-0.5 - 4.6
Unit
V
VddQ
Supply Voltage for Output
with respect to VssQ
-0.5 - 4.6
V
VI
Input Voltage
with respect to Vss
-0.5 - 4.6
V
VO
Output Voltage
with respect to VssQ
-0.5 - 4.6
V
IO
Output Current
50
mA
Pd
Power Dissipation
Ta = 25C
1000
mW
Topr
Operating Temperature
0 - 70
C
Tstg
Storage Temperature
-65 - 150
C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(Ta=0 - 70
C ,unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Limits
Unit
Min.
Typ.
Max.
Vdd
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
Vss
Supply Voltage
0
0
V
VddQ
Supply Voltage for output
3.0
3.3
3.6
V
VssQ
Supply Voltage for output
0
0
0
V
VIH*1
High-Level Input Voltage all inputs
2.0
VddQ +0.3
V
VIL*2
Low-level Input Voltage all inputs
-0.3
0.8
V
CAPACITANCE
(Ta=0 -7
0
C,Vdd=VddQ=3.3±0.3V,Vss=VssQ=0V,unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Test Condition
Limits (min.)
Limits (max.)
-6
/-7
Unit
-75
CI(A)
Input Capacitance, address pin
@ 1MHz
1.4V bias
200mV swing
Vcc=3.3V
2.5
3.8
5.0
pF
CI(C)
Input Capacitance, contorl pin
2.5
3.8
5.0
pF
CI(K)
Input Capacitance, CLK pin
2.5
3.5
4.0
pF
CI/O
Input Capacitance, I/O pin
4.0
6.5
6.5
pF
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S83200A-75T 256 Mb Synchronous DRAM
IS42S83200A-75TL 256 Mb Synchronous DRAM
IS42VS16100C1-10TLI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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