參數(shù)資料
型號(hào)： IS42VS16100C1
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 為512k字× 16位× 2銀行（16兆）同步動(dòng)態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 28/80頁(yè)
文件大?。?/td> 772K
代理商： IS42VS16100C1
IS42VS16100C1
ISSI
28
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
Interval Between Read Command
A new command can be executed while a read cycle is in
progress, i.e., before that cycle completes. When the
second read command is executed, after the
CAS
latency
has elapsed, data corresponding to the new read command
is output in place of the data due to the previous read
command.
The interval between two read command (t
CCD
) must be at
least one clock cycle.
The selected bank must be set to the active state before
executing this command.
Interval Between Write Command
A new command can be executed while a write cycle is in
progress, i.e., before that cycle completes. At the point the
second write command is executed, data corresponding to
the new write command can be input in place of the data
for the previous write command.
The interval between two write commands (t
CCD
) must be
at least one clock cycle.
The selected bank must be set to the active state before
executing this command.
READ A0
READ B0
COMMAND
DQ
CLK
D
OUT
A0
D
OUT
B0
D
OUT
B1
D
OUT
B2
READ (CA=A, BANK 0) READ (CA=B, BANK 0)
t
CCD
D
OUT
B3
CAS
latency = 2, burstlength = 4
WRITE A0
WRITE B0
COMMAND
DQ
CLK
D
IN
A0
D
IN
B0
D
IN
B1
D
IN
B2
D
IN
B3
WRITE (CA=A, BANK 0) WRITE (CA=B, BANK 0)
t
CCD
CAS
latency = 3, burstlength = 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TL 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16400C1-10T 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42VS16100C1-10T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42VS16100C1-10TLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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