參數(shù)資料
型號： IS42VS16100C1
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 為512k字× 16位× 2銀行（16兆）同步動態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 8/80頁
文件大?。?/td> 772K
代理商： IS42VS16100C1
IS42VS16100C1
ISSI
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. 00A
04/15/05
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
SYMBOL PARAMETER
-10
-10
UNITS
—
Clock Cycle Time
10
12
ns
—
Operating Frequency (
CAS
Latency = 3)
100
83
MHz
t
CAC
CAS
Latency
3
2/3
cycle
t
RCD
Active Command To Read/Write Command Delay Time
3
2
cycle
t
RAC
RAS
Latency (t
RCD
+ t
CAC
)
6
4
cycle
t
RC
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
10
8
cycle
t
RAS
Command Period (ACT to PRE)
5
5
cycle
t
RP
Command Period (PRE to ACT)
3
2
cycle
t
RRD
Command Period (ACT[0] to ACT [1])
2
2
cycle
t
CCD
Column Command Delay Time
(READ, READA, WRIT, WRITA)
1
1
cycle
t
DPL
Input Data To Precharge Command Delay Time
2
2
cycle
t
DAL
Input Data To Active/Refresh Command Delay Time
(During Auto-Precharge)
5
4
cycle
t
RBD
Burst Stop Command To Output in HIGH-Z Delay Time
CAS
Latency = 3
(Read)
3
—
3
2
cycle
CAS
Latency = 2
t
WBD
Burst Stop Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
0
0
cycle
t
RQL
Precharge Command To Output in HIGH-Z Delay Time
CAS
Latency = 3
(Read)
3
—
3
2
cycle
CAS
Latency = 2
t
WDL
Precharge Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
0
0
cycle
t
PQL
Last Output To Auto-Precharge Start Time (Read)
CAS
Latency = 3
CAS
Latency = 2
-2
—
-2
-1
cycle
t
QMD
DQM To Output Delay Time (Read)
2
2
cycle
t
DMD
DQM To Input Delay Time (Write)
0
0
cycle
t
MRD
Mode Register Set To Command Delay Time
2
2
cycle
AC TEST CONDITIONS
(Input/Output Reference Level: 0.9V)
Input
I/O
50
0.5 x VDDQ V
30 pF
Output Load
t
OH
t
AC
0.9V
0.9V
t
CH
t
CS
t
CK
t
CHI
t
CL
1.8V
0.9V
0.0V
1.8V
0.9V
0.0V
CLK
INPUT
OUTPUT
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PDF描述
IS42VS16100C1-10T 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42VS16100C1-10TI 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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IS42VS16400C1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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IS42VS16100C1-10TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1.8V 1Mx16 100Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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