參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LPS51236A-250TQI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 32/34頁(yè)
文件大小： 229K
代理商： IS61LPS51236A-250TQI
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. B
02/12/03
Copyright 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
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Plastic Ball Grid Array
Package Code: B (119-pin)
Notes:
1. Controlling dimension: millimeters, unless otherwise specified.
2. BSC = Basic ead spacing between centers.
3. Dimensions D1 and E do not nclude mold flash protrusion and
should be measured from the bottom of the package.
4. Formed eads shall be planar with respect to one another within
0.004 nches at the seating plane.
MILLIMETERS
INCHES
Sym.
Min.
Max.
Min.
Max.
N0.
Leads
119
A
A1
A2
A3
A4
b
D
D1
D2
E
E1
E2
—
0.50
0.80
1.30
2.41
0.70
1.00
1.70
—
0.095
0.028
0.039
0.067
0.020
0.032
0.051
0.56 BSC
0.60
21.80
20.32 BSC
19.40
13.80
7.62 BSC
11.90
0.022 BSC
0.024
0.858
0.800 BSC
0.764
0.543
0.300 BSC
0.469
0.90
22.20
0.035
0.874
19.60
14.20
0.772
0.559
12.10
0.476
e
1.27 BSC
0.050 BSC
E1
A1
D1
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
E2
E
A2
SEATING PLANE
e
D2
D
A
30
A3
A4
φ
b (119X)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV 216L 32K x 17 Low Voltage High-Speed CMOS Static RAM(3.3V,32K x 16 低壓高速CMOS靜態(tài)RAM)
IS61LV3216L-15KI 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12KI 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12T 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12TI 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LPS51236A-250TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPS51236A-250TQL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256Kx72,512Kx36,1024Kx18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED,SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51236A-250TQ-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPS51236B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:18M（512K x 36） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-TFBGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:144
IS61LPS51236B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:18M（512K x 36） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:100-LQFP（14x20） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72
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