參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LPS51236A-250TQI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 34/34頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： IS61LPS51236A-250TQI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PK13197LQ Rev. D 05/08/03
PACKAGING INFORMATION
ISSI
TQFP (Thin Quad Flat Pack Package)
Package Code: TQ
Thin Quad Flat Pack (TQ)
Inches
Min
Max
Millimeters
Min
Millimeters
Min
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
A
A1
A2
b
D
D1
E
E1
e
L
L1
C
Max
Max
Max
100
128
—
0.05
1.35
0.22
21.90
19.90
15.90
13.90
0.65 BSC
0.45
1.00 REF.
0
o
1.60
0.15
1.45
0.38
22.10
20.10
16.10
14.10
—
0.063
0.006
0.057
0.015
0.870
0.791
0.634
0.555
—
0.05
1.35
0.17
21.80
19.90
15.80
13.90
0.50 BSC
0.45
1.00 REF.
0
o
1.60
0.15
1.45
0.27
22.20
20.10
16.20
14.10
—
0.063
0.006
0.057
0.011
0.874
0.791
0.638
0.555
0.002
0.053
0.009
0.862
0.783
0.626
0.547
0.002
0.053
0.007
0.858
0.783
0.622
0.547
0.020 BSC
0.018
0.039 REF.
0
o
0.026 BSC
0.018
0.039 REF.
0
o
0.75
0.030
0.75
0.030
7
o
7
o
7
o
7
o
Notes:
1. All dimensioning and
tolerancing conforms to
ANSI Y14.5M-1982.
2. Dimensions D1 and E1 do
not include mold protrusions.
Allowable protrusion is 0.25
mm per side. D1 and E1 do
include mold mismatch and
are determined at datum
plane -H-.
3. Controlling dimension:
millimeters.
D
D1
E
E1
1
N
A2
A
A1
e
b
SEATING
PLANE
C
L1
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV 216L 32K x 17 Low Voltage High-Speed CMOS Static RAM(3.3V,32K x 16 低壓高速CMOS靜態(tài)RAM)
IS61LV3216L-15KI 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12KI 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12T 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12TI 32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS61LPS51236A-250TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPS51236A-250TQL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256Kx72,512Kx36,1024Kx18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED,SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51236A-250TQ-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPS51236B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:18M（512K x 36） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:165-TFBGA（13x15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:144
IS61LPS51236B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:18M（512K x 36） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商器件封裝:100-LQFP（14x20） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72
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