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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS61LV10248 |
| 廠(chǎng)商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 8高速CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | IS61LV10248 |
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4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
04/13/06
IS61LV10248
ISSI
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Over Operating Range)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
V
OH
Output HIGH Voltage
V
DD
= Min., I
OH
= –4.0 mA
2.4
—
V
V
OL
Output LOW Voltage
V
DD
= Min., I
OL
= 8.0 mA
—
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.2
V
DD
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
(1)
–0.3
0.8
V
I
LI
Input Leakage
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
Com.
Ind.
–1
–5
1
5
μA
I
LO
Output Leakage
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
, Outputs Disabled
Com.
Ind.
–1
–5
1
5
μA
Note:
1. V
IL
= –3.0V for pulse width ess than 10 ns.
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-8
-10
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
I
CC
V
DD
Dynamic Operating
Supply Current
V
DD
= Max.,
I
OUT
= 0 mA, f = f
MAX
Com.
Ind.
—
—
110
120
—
—
100
110
mA
I
SB
1
TTL Standby Current
(TTL Inputs)
V
DD
= Max.,
V
IN
= V
IH
or V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
Com.
Ind.
—
—
30
35
—
—
30
35
mA
I
SB
2
CMOS Standby
Current (CMOS Inputs)
V
DD
= Max.,
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or
V
IN
≤
0.2V
, f = 0
Com.
Ind.
—
—
20
25
—
—
20
25
mA
Note:
1. At f = f
MAX
, address and data inputs are cycling at the maximum frequency, f = 0 means no input lines change.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10BI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV10248-10MI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10BI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10MI | 制造商:ISSI 制造商全稱(chēng):Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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