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參數(shù)資料
| 型號： | IS61LV10248 |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 100萬× 8高速CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | IS61LV10248 |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
04/13/06
5
IS61LV10248
ISSI
AC TEST LOADS
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Levels
Output Load
Unit
0V to 3.0V
3 ns
1.5V
See Figures 1 and 2
Figure 1
31
9
Ω
5 pF
Including
jig and
scope
353
Ω
OUTPUT
3.3V
Figure 2
Z
O
= 50
Ω
1.5V
50
Ω
OUTPUT
30 pF
Including
jig and
scope
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LV10248-10BI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10BLI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10MI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10TI | 1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS61LV10248-10BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS61LV10248-10BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10MI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS61LV10248-10T | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 8Mb 1Mb x 8 10ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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