參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LV6416
廠商： Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述： 64K x 16 High-Speed CMOS Static RAM(3.3V,64K x 16 高速CMOS靜態(tài)RAM)
中文描述： 64K的× 16高速CMOS靜態(tài)RAM（3.3伏，64K的× 16高速的CMOS靜態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
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代理商： IS61LV6416
IS61LV6416
8
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. D
10/20/00
ISSI
Notes:
1. WRITE is an internally generated signal asserted during an overlap of the LOW states on the
CE
and
WE
inputs and at least
one of the
LB
and
UB
inputs being in the LOW state.
2. WRITE = (
CE
)
[
(
LB
) = (
UB
)
]
(
WE
).
AC WAVEFORMS
WRITE CYCLE NO. 1 (
WE
Controlled)
(1,2)
UNDEFINED
UNDEFINED
t
WC
t
SCE
t
PWB
t
AW
t
HA
HIGH-Z
HIGH-Z
t
PWE
t
HD
t
SA
t
HZWE
ADDRESS
CE
LB, UB
WE
WRITE
(1)
D
OUT
D
IN
t
LZWE
t
SD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LV6424 64K x 24 High-Speed CMOS Static RAM(3.3V,64K x 24 高速CMOS靜態(tài)RAM)
IS61LV6432 64K x 32 Synchronous Pipelined SRAM(64K x 32 同步流水線靜態(tài)RAM)
IS61LV6464 64K x 64 Synchronous Pipelined SRAM(64K x 64 同步流水線靜態(tài)RAM)
IS61NF51218 SRAM
IS61NF25632 SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS61LV6416-10B 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY
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IS61LV6416-10BLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb 64Kx16 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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