參數(shù)資料
型號(hào)： IS62WV12816BLL-45B
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, MO-207, MINI, BGA-48
文件頁數(shù)： 9/17頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IS62WV12816BLL-45B
IS62WV12816ALL, IS62WV12816BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. E
06/08/05
9
WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1,2)
(Over Operating Range)
45ns
55 ns
70 ns
Symbol
t
WC
t
SCS1/
t
SCS2
CS1/
CS2 to Write End
t
AW
Address Setup Time to Write End
t
HA
Address Hold from Write End
t
SA
Address Setup Time
t
PWB
LB
,
UB
Valid to End of Write
t
PWE
WE
Pulse Width
t
SD
Data Setup to Write End
t
HD
Data Hold from Write End
t
HZWE
(3)
WE
LOW to High-Z Output
t
LZWE
(3)
WE
HIGH to Low-Z Output
Parameter
Write Cycle Time
Min.
45
35
35
0
0
35
35
20
0
—
5
Max.
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
Min.
55
45
45
0
0
45
40
25
0
—
5
Max.
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
Min.
70
60
60
0
0
60
50
30
0
—
5
Max.
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V, input pulse levels of 0.4V to 1.4V
and output loading specified in Figure 1.
2.
The internal write time is defined by the overlap of
CS1
LOW, CS2 HIGH and
UB
or
LB
, and
WE
LOW. All signals must be in valid states to initiate a Write, but
any one can go inactive to
terminate the Write. The Data Input Setup and Hold timing are referenced to the rising or falling edge of the signal that terminates the
write.
3. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS62WV12816BLL-45B2 128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288BLL-45QI 128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288ALL 128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288ALL-70BI 128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS62WV1288ALL-70HI 128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS62WV12816BLL-45TLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128K x 16 45ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816BLL-45TLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128K x 16 45ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS62WV12816BLL-55B2I 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS62WV12816BLL-55B2LI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb 128Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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