參數(shù)資料
型號(hào)： IS66WVD409616ALL-7010BLI
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54
封裝： 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 37/52頁
文件大?。?/td> 1128K
代理商： IS66WVD409616ALL-7010BLI
IS66WVD409616ALL
Advanced Information
42
Rev.00A | January 2010
www.issi.com - SRAM@issi.com
Figure 27: Burst READ at End of Row (Wrap Off)
Address
ADQ0-
ADQ15
ADV#
CE#
UB#/LB#
WAIT
WE#
OE#
CLK
tCLK
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VIL
t
KW
VIH
NOTE2
VIH
t
HZ
t
HZ
End of Row (A[7:0]=FFh)
Notes:
1. Non-default BCR settings for burst READ at end of row: fixed or variable latency; WAIT
active LOW; WAIT asserted during delay.
2. For burst READs, CE# must go HIGH before the third CLK after the WAIT period begins
(before the third CLK after WAIT asserts with BCR[8] = 0, or before the fourth CLK after
WAIT asserts with BCR[8] = 1).
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