參數(shù)資料
型號： IS66WVD409616ALL-7010BLI
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54
封裝： 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 47/52頁
文件大?。?/td> 1128K
代理商： IS66WVD409616ALL-7010BLI
IS66WVD409616ALL
Advanced Information
51
Rev.00A | January 2010
www.issi.com - SRAM@issi.com
Ordering Information – VDD = 1.8V
Industrial Temperature Range: (-40oC to +85oC)
Config.
Speed
(ns)
Frequency
(MHz)
Order Part No.
Package
4Mx16
70
133
IS66WVD409616ALL-7013BLI
54-ball VFBGA
104
IS66WVD409616ALL-7010BLI
54-ball VFBGA
80
IS66WVD409616ALL-7008BLI
54-ball VFBGA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS80C32-20PL 8-BIT MICROCONTROLLER
IS80C32-20PQ 8-BIT MICROCONTROLLER
IS80C32-20W 8-BIT MICROCONTROLLER
IS80C32-24PL 8-BIT MICROCONTROLLER
IS80C32-24PLI 8-BIT MICROCONTROLLER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS66WVE1M16ALL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1.8V Core Async/Page PSRAM
IS66WVE1M16ALL-70BLI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1.8V Core Async/Page PSRAM
IS66WVE1M16BLL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:3.0V Core Async/Page PSRAM
IS66WVE1M16BLL-55BLI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Mb 1M x 16 55ns Pseudo 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Mb 1M x 16 55ns Pseudo 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*