參數(shù)資料
型號： IXGP30N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 561K
代理商： IXGP30N60C2
2005 IXYS All rights reserved
IXGP 30N60C2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
5V
7V
9V
11V
13V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
CE
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(
sat
)
on
Temperature
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
V
C
s
)
-
I
C
= 24A
I
C
= 12A
V
GE
= 15V
I
C
= 48A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
11
12
13
14
15
16
17
V
C
T
J
= 25oC
I
C
= 48A
24A
12A
Fig. 6. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
G E
- Volts
I
C
T
J
= 25oC
125oC
相關PDF資料
PDF描述
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
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參數(shù)描述
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IXGP30N60C3D4 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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