參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP30N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT C2- Class High Speed IGBTs
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 561K
代理商： IXGP30N60C2
IXGP 30N60C2
Fig. 7. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
I
C
- Amperes
100 120 140 160 180 200
g
f
T
J
= 25oC
125oC
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on R
G
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
G
- Ohms
E
o
-
I
C
= 12A
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 24A
I
C
= 48A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy
on I
C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10
15
20
25
I
C
- Amperes
30
35
40
45
50
E
o
R
G
=5
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Temperature
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
E
o
I
C
= 48A
R
G
=5
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 24A
I
C
= 12A
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Switching Time on R
G
100
150
200
250
300
350
400
450
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R
G
- Ohms
S
I
C
= 24A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
T
J
= 125oC
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 12A
I
C
= 48A
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Switching Time
on I
C
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10
15
20
25
I
C
- Amperes
30
35
40
45
50
S
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
=5
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR12N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR24N60C Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:24; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
IXGR32N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGR40N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP30N60C3 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP30N60C3C1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP30N60C3D4 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP36N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
IXGP36N60A3_09 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*