參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH20N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 112K
代理商： IXSH20N60U1
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
GE
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
I
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
C
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
T
J
= 25°C
11V
7V
9V
13V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 10A
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 10A
I
C
= 20A
I
C
= 40A
V
GE
= 15V
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 10V
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE(th)
I
C
= 1.5mA
T
J
= 25°C
V
GE
=15V
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4
Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 5 Input Admittance
Fig. 6
Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Volt.
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2
Output Characterstics
IXSH 20N60U1
IXSH 20N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH20N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High Speed IGBT with Diode
IXSH24N60AU1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60U1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60 HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXSH24N60A HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH24N60 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60A 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIES LO VCE SNGL 600V 24A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60AU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR
IXSH24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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