參數(shù)資料
型號： IXSH30N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管(帶二極管）)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： IXSH30N60AU1
2 - 6
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
7
13
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
100
A
C
ies
C
oes
C
res
2760
240
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
51
Q
g
Q
ge
Q
gc
110
34
47
150
45
63
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
60
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
130
400
400
200
2.5
30N60U1
30N60AU1
30N60AU1
E
off
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
60
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
130
4.2
540
340
600
340
12
30N60U1
30N60AU1
30N60U1
30N60AU1
30N60U1
30N60AU1
1000
525
1500
700
t
fi
E
off
6
R
thJC
R
thCK
0.63 K/W
0.25
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.6
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 240 A/ s
V
= 360 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/ s; V
R
= 30 V
10
150
35
15
A
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
ns
ns
50
R
thJC
1 K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
Remarks: Switching times
may increase for
V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher
T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
= 0.8 V
, R
= 4.7
Remarks: Switching times
may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
,
higher T
J
or increased R
G
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXSH30N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXSM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH35N100A High speed IGBT
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參數(shù)描述
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IXSH30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60C 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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