參數(shù)資料
型號： IXSH30N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管(帶二極管）)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 82K
代理商： IXSH30N60AU1
5 - 6
2000 IXYS All rights reserved
di
F
/dt - A/μs
0
200
400
600
t
r
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
di
F
/dt - A/μs
200
400
600
I
R
0
10
20
30
40
di
F
/dt - A/μs
1
10
100
1000
Q
r
0
1
2
3
4
T
J
- Degrees C
0
40
80
120
160
N
R
/
r
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Q
r
I
RM
di
F
/dt - A/μs
0
100
200
300
400
500
600
t
f
0
200
400
600
800
1000
V
F
0
5
10
15
20
25
t
fr
V
FR
Voltage Drop - Volts
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
C
0
20
40
60
80
100
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
F
= 37A
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
I
F
= 30A
T
J
= 100
°
C
V
R
= 350V
T
J
= 100
°
C
V
R
= 350V
T
J
= 100
°
C
V
R
= 350V
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
max.
I
F
= 30A
max.
I
F
= 30A
typ.
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
max.
Fig.14 Junction Temperature Dependence
off I
RM
and Q
r
Fig.15 Reverse Recovery Chargee
Fig.16 Peak Reverse Recovery Current
Fig.17 Reverse Recovery Time
Fig.12 Maximum Forward Voltage Drop
Fig.13
Peak Forward Voltage V
FR
and
Forward Recovery Time t
fr
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXSH30N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場效應(yīng)管)
IXSM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH35N100A High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXSH30N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60C 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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