參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH30N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT with Diode(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管(帶二極管）)
中文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： IXSH30N60AU1
4 - 6
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
J
0.001
0.01
0.1
1
Single pulse
D=0.5
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.01
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
t
f
0
250
500
750
1000
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
E
o
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
t
f
0
250
500
750
1000
E
off
(-A)
hi-speed
t
fi
(-A)
hi-speed
D = Duty Cycle
T
J
= 125
°
C
R
G
= 10
W
t
fi
(-A), hi-speed
E
off
(-A), hi-speed
T
J
= 125
°
C
I
C
= 30A
I
C
= 30A
V
CE
= 300V
T
J
= 125
°
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 6V/ns
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSH30N60A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.0V的高速絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)管)
IXSM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM30N60A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH35N100A High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH30N60B 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60C 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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